記者近日從位于西安高新區的三星(中國)半導體有限公司采訪了解到,三星半導體高端存儲芯片二期項目總投資將超過140億美元。二期項目已于2018年3月開工建設,預計今年7月份建成,2020年一季度實現量產。
三星(中國)半導體有限公司副總裁池賢基在采訪中說,三星半導體的存儲芯片二期項目分為兩個階段,第一階段投資70億美元,第二階段詳細計劃還未出爐,但預計會超過70億美元,總投資將超過140億美元。
2012年,西安高新區成功引進三星電子存儲芯片項目,生產“V-NAND”閃存芯片。一期項目于2014年5月竣工投產。“一期項目計劃投資70億美元,實際總投資超過了100億美元。”池賢基說。
據介紹,直接在中國生產“V-NAND”閃存芯片,將使三星更有效率地應對市場的變化和顧客的需求。池賢基說,三星半導體繼續投建二期項目,表示他們對中國經濟很有信心。
